高通最新的片上系统方案将提供全新的充电功能，称之为Quick Charge 3.0。这一功能将作为全新标准出现在骁龙820、620、618、617以及430中。届时，将智能电池的电量从0充至80%只需花费短短35分钟即可。 高通表示，只要厂商使用了公司的高级并行充电配置，那么这一全新充电标准与Quick Charge 2.0相比，将会提升充电速度最快达27%，同时降低至多45%的功率损耗。 全新的标准使用了称之为最适电压智能协商（INOV）的算法，使得设备可以持续向充电器请求电压水平，范围从3.6V至20V，每一档的间隔为200mV。相比之下，Quick Charge 2.0仅仅提供了4档充电电压，而3.0提供了82种不同电压水平。高通表示，这将会最小化损耗，增加效率，同时提高热性能。 Quick Charge 3.0提供了针对1.0以及2.0版本的后向兼容性，同时独立于连接器型号。当然，用户需要全新的以及充电器才能享受这项标准带来的便利。 高通预计，该技术将会从明年起开始逐渐普及。 ：2015年电池续航性能最强排行榜 10款旗舰推荐高通快速充电3.0技术 
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